PHI 710掃描俄歇納米探針的詳細資料

• 產品特點

  *SEM空間分辨率AES≤3nm；成分像空間分辨率≤8nm

  俄歇分析通過SEM觀察確定分析位置，再進行采譜，成分分布成像和深度剖析。在SEM觀察時需要細小的聚焦電子束斑，同時進行俄歇分析，需要非常穩定的電子束。

  SEM成像分辨率可達3納米左右，PHI 710使用低噪聲電源(圖1)，采用隔音罩以減小振動、聲音、和溫度的影響，AES分析時分辨率可達到8nm 以下(20 kV 1nA).圖2案例:球墨鑄鐵斷面中晶間雜質的分析。

  從左圖所示：二次電子像，在圖2中從左到右的影像所示分別為Ca(藍色) Mg(綠色) Ti(紅色)俄歇成分像，疊圖以及S的俄歇成分分布像，表明了AES納米級微區的化學分析能力。

  
  

  *同軸筒鏡分析儀CMA實現高靈敏度和高通量分析

同軸筒鏡分析儀(CMA:Cylindrical Mirror Analyzer)同軸 CMA 是PHI公司在其電子光譜儀上的重大發明。CMA能各方位360度收集產生的俄歇電子，因此具有不受樣品形貌和傾角影響的優點。圖3 顯示同軸 CMA 和非同軸譜儀SCA的靈敏度比較。CMA 從垂直入射到角度入射均能表現出高靈敏度特點，角度依賴性低，從而采用各種入射角度，分析各種形貌的樣品均可得到優異的靈敏度和定量結果。

*比較分析形態復雜的樣本

圖4比較CMA和傳統SCA所采集的球狀樣品的SEM成像，以及俄歇成分影像，SCA中俄歇成分圖的陰影效果非常明顯，而CMA在360°收集訊號的能力下所獲得的SEM像和俄歇成分像可準確地反映真實結果。

*AES化學態分析，圖譜和分布像

PHI710 AES 成分像，每個像素點對應的圖譜可對元素存在的化學態進行解析和進階的化學態成像。

圖5顯示半導體芯片電極 Si KLL的高能量分辨成分分布圖。由Si KLL譜進行最小二乘法擬合(LLS)得出三個主要成分分別為單質硅、氮氧化硅、硅化物，從而可把這三種不同化學態的硅單獨輸出成像分布圖。